江西万年晶半导体有限公司年产20万片GaN功率器件晶圆项目

项目名称：江西万年晶半导体有限公司年产20万片GaN功率器件晶圆项目

建设地点：上饶市万年县高新技术产业园区丰收工业园东外环线

建设单位：江西***公司***

环评机构：江西***公司***

建设项目概况：江西万年晶半导体有限公司位于上饶市万年县高新技术产业园区丰收工业园东外环线，属新建项目。江西万年晶半导体有限公司租赁万年县欣茂物业管理有限公司厂房进行建设，占地面积3732*.86m2，总建筑面积1037**.3m2。

项目以蓝宝石外延片、金属、盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、去胶液、双氧水、显影液、抛光液、光刻胶等为原辅材料，通过外延片清洗、蚀刻、金属蒸镀、退火、去胶清洗、离子注入、沉积、键合、抛光、去蜡清洗、分选检验等工序年产2英寸GaN功率器件晶圆20万片。

项目属新建项目，总投资2500**万元，其中环保投资800万元。